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1200℃雙溫(wēn)區CVD係統

產品用途:此款CVD生長係統適用(yòng)於CVD工藝,如碳化矽鍍膜、陶瓷基片(piàn)導電率測試、ZnO納米結構的可控生長、陶瓷電容(MLCC)氣氛(fēn)燒結等實驗。

關鍵詞:

CVD

雙溫區(qū)CVD係統

圖片名稱

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    • 商品(pǐn)名稱: 1200℃雙溫區CVD係統
    • 商品(pǐn)編號: 1034429773968662528

    產品用途:此款CVD生長(zhǎng)係統適用於(yú)CVD工藝(yì),如碳化矽鍍膜、陶瓷基(jī)片導電率測試、ZnO納米(mǐ)結(jié)構的可控生長、陶瓷電容(MLCC)氣氛燒結(jié)等實驗。

    銷售熱線:15122725930  

     

    產品用途:

    此款CVD生長(zhǎng)係統適用於CVD工藝,如碳化矽鍍(dù)膜、陶瓷基片導電(diàn)率(lǜ)測試、ZnO納米結構的可控生長、陶瓷電容(MLCC)氣氛燒結等實驗。

    產品組成:

    此款CVD係統配置:

    1.1200度開啟式真空管式爐(可(kě)選配單溫區、雙溫區(qū))。

    2.多路質量流量控(kòng)製係統(tǒng)

    3.真空係統(可選配中真空(kōng)或高真空)     

    產品特點:

    1 控製電(diàn)路(lù)選用模糊PID程控技術,該技術控溫精度高,熱慣(guàn)性小,溫度不過衝,性能可靠,操作(zuò)簡單。

    2 氣路快速連接法蘭結構采用本公司設計,提高操作便捷(jié)性。

    3 中真空(kōng)係統具有真空度上下限自動控製功能(néng),高真空係統采用高壓強,耐衝擊分子泵

     防止意外漏(lòu)氣造成分子泵損壞,延長係統使用(yòng)壽命。

    係統名稱

    1200℃單/雙溫區CVD係統

    係統型號

    CVD-12II-3Z/G

    CVD-12II6-3Z/G

    最高溫度

    1200℃

    加熱區長度

    420mm

    600mm

    恒溫(wēn)區長度

    280mm

    390mm

    溫區

    雙溫區

    雙溫(wēn)區

    石英管管徑(jìng)

    Φ50/Φ60/Φ80mm

    Φ80/Φ100mm

    額定功率

    3.2Kw

    4.8Kw

    額定電壓

    220V

    溫度控製(zhì)

    國產程(chéng)序控溫係統50段程序控溫;

    控製精度

    ±1℃

    爐管最高工作溫度

    <1200℃

    氣路法蘭

    密封法蘭與管件連(lián)接的地方采用多環密封技術,在(zài)密封法蘭與管外壁間形成了密封,在管件外徑誤差較大的情(qíng)況下密封仍然有效,該密(mì)封(fēng)法蘭的安裝(zhuāng)隻需在第一次使用(yòng)設備的時候安裝

    氣體控(kòng)製方式

    質量流量計

    氣路數量

    3路(可根據具體需要選配氣路數量)

    流量範(fàn)圍

    0-500sccm(標準毫升(shēng)/分,可選配)氮氣標定

    精度

    ±1%F.S

    響應時間

    ≤4sec

    工作溫度(dù)

    5-45℃

    工作壓力

    進氣壓力0.05-0.3Mpa(表壓力)

    係統連接(jiē)方式

    采用(yòng)KF快速連接波紋管、高真空手動擋(dǎng)板閥(fá)及數顯真空測(cè)量儀

    規格

    高真空

    係(xì)統真(zhēn)空範圍

    1x10-3Pa-1x10-1Pa

    真空泵

    真空分子泵理論極限真空度5x10-6Pa抽氣速度1200L/S額定(dìng)電(diàn)壓220V    功率2KW

    真空分子泵理論極限真空度5x10-6Pa抽氣速度1600L/S額定電壓220V  功率2KW

     

     

    爐體外形尺寸

    340×580×555mm

    480×770×605mm

    係統外(wài)形尺寸

    530x1440x750mm(不含高(gāo)真空)

    係統總重量(liàng)

    330kg

     

    關鍵詞:
    • CVD
    • 雙溫區CVD係統
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